CCTO
CCTO (CaCu3Ti4O12) 用於雷射打標顏料、LDS/MID 篩選和電子陶瓷研究路線。
材料概覽
| 結構 | 功能 | 作用機制 |
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| CaCu3Ti4O12;陶瓷介電粉 | CCTO 支援雷射打標顏料、LDS/MID 篩選和高介電常數電子陶瓷研究路線。 | 對於 LDS/MID，確定最終加工條件下的雷射活化、電鍍連續性、附著力和聚合物損壞限制。 |
| MLCC 內電極、端電極與介電材料 | 確認的研究路線 — 介電研究，包括相位、分散、燒結、介電常數、損耗、洩漏和可靠性驗證。 | 僅路線核准；驗證準確的等級、配方、製程、方法、條件和可靠性邊界。 |
應用適配
| 應用 | 適用性 | 條件 | 限制 |
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| 雷射標記顏料 | 有條件 | 索取已核准資料 | 索取已核准資料 |
| LDS/MID | 高度適用 | 一起資格驗證聚合物、雷射設定、電鍍槽、添加量和追蹤幾何形狀。 | 不要從可見雷射響應推斷金屬化準備；需要活化、電鍍連續性、附著力、電阻和損壞證據。 |
關鍵特性
| 分類 | 特性 | 數值 | 方法 |
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| 化學穩定性 | CAS 編號 | 12336-91-3 | |
| 化學穩定性 | 組成 | CaCu3Ti4O12 | |
| 粒子特性 | 粒徑 | 微米級：D50 1–3 μm； D90 3–5 微米。奈米級：D50 75–100 nm。 | 特定等級分佈 |
| 材料識別 | 形貌 | 立方晶格鈣鈦礦氧化物陶瓷粉體 | |
| 材料識別 | CCTO 純度 | 99.99%（微米級和奈米級） | 等級表 |
| 電氣特性 | 介電常數 | 微觀等級：250,000。奈米級：>310,000。 | 等級表； TDS 中未規定的測試條件 |
| 電氣特性 | 介電損耗（tan δ） | 微觀等級：<0.3。奈米級：0.2425。 | 等級表； TDS 中未規定的測試條件 |
比較定位
| 材料 | 差異 | 界線 |
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| CCTO | 用作陶瓷氧化物篩選途徑，可以一起評估最終聚合物、雷射活化和電鍍條件。 | 對於 LDS/MID，CCTO 在選擇前需要活化、電鍍連續性、附著力、電阻、聚合物損壞和尺寸穩定性證據。 |
相關技術洞察
相關材料
| 類型 | 材料 | 原因 |
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| 互補材料 | 雷射標記顏料 | 用於視覺標記對比度、波長響應和基材相容性的吸收器背景； LDS/MID 活化需要單獨的證據。 |
| 互補材料 | LDS/MID | 用於雷射活化和電鍍電路篩選的合格陶瓷氧化物路線；一起評估活化、電鍍連續性、附著力、電阻和聚合物損傷。 |
供應與操作
| 欄位 | 數值 |
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| 儲存條件 | 乾燥密封容器 |
| 操作限制 | 索取已核准資料 |
| 分散或加工注意事項 | 索取已核准資料 |
| 安全或穩定性說明 | 索取已核准資料 |
製程關聯
CCTO 製程相關性應透過粒度控制、分散能、潤濕、塗層厚度、裝載上限、流變視窗、儲存穩定性和雷射活化來評估。
限制條件圖
根據顆粒尺寸、形狀、分散性、裝載上限、基材基質、黏度/流變性、儲存穩定性、顏色影響、介電效應、雷射響應、文件準備和加工相容性篩選 CCTO。
選材界線
當目標應用可以驗證實際黏結劑、添加量、塗層厚度、雷射條件和文件要求下的響應時，請使用 CCTO。當顏色、霧度、黏度、粒徑、儲存、雷射響應或 TDS/SDS 準備情況仍未解決時應避免使用。
相關製程節點
相關製程節點：粒度控制、分散能量、潤濕、塗層厚度、裝載上限、流變視窗、儲存穩定性、雷射啟動。
相關限制節點
相關約束節點：粒徑、形態、分散、裝載上限、基材基質、黏度/流變、儲存穩定性、顏色影響、介電效應、雷射響應、文件準備、加工相容性。
文件
| 文件 | 狀態 |
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| 技術資料表 | CCTO 技術資料表 v2.1 可供下載。 |
| 安全資料表 | 目前未連結可下載的已核准公開 SDS。 |
