偏壓和濕度下的電遷移和金屬遷移失效

Problem

電遷移和偏濕金屬遷移經常被混為一談，因為兩者都可能涉及金屬移動和電氣故障。它們的驅動路徑不同，而污染、腐蝕、碎片、製劑塗抹、介電損壞、冷凝橋接和夾具偽影都可以模仿。

作用機制

電流驅動的導體輸運取決於局部電流密度、溫度、微觀結構、界面、梯度、幾何形狀和時間。電化學遷移需要金屬源、偏壓和極性、透過吸附或冷凝電解質的離子傳導、溶解和傳輸以及沉積或相關損壞。

濕度可能會產生電解質，但並不能證明是電解質。必須定位某個特徵，以化學方式歸因於其來源，並記錄電氣歷史和故障序列。

Tradeoff

較高的電流、溫度、濕度或污染物負載可能會縮短測試時間，同時改變自熱、界面、腐蝕、介電行為或主要機制。塗層、清潔、間距、電流重新分佈和材料替代都會改變多個變數。僅當機制等價成立時才使用加速結果。

Material Strategy

評估實際導體中的奈米銀粉、奈米銅粉、奈米鎳粉和奈米錫粉、表面處理、絕緣、幾何形狀、偏壓、污染和環境。對於石墨烯銅 (Graphene-Cu) 或 SWCNT-nano-Ag，使用匹配的金屬對照區分金屬傳輸與碳相、碎片和製備塗抹。

Recommended Architectures

Measurement & Validation

1. 定義導體、金屬化、絕緣、介面、幾何形狀、間距、電流和熱路徑、電壓極性和波形、濕度或冷凝、污染物、塗層、壽命、事件閾值以及允許的洩漏和損壞。
2. 繪製電流、電壓、電位和校準溫度以及當地濕度、冷凝和離子殘留證據；報告探頭、防護、合規性、室測繪、校準和恢復。
3. 在最終短路破壞序列之前，使用中斷樣本記錄導體空隙或擠壓、源區域、沉積物、細絲、腐蝕產物和界面。
4. 具有分辨率、可檢測性、轉移、製備和參考控制的屬性特徵化學和來源；分離洩漏電阻、體積電阻和接觸電阻。
5. 比較乾燥、無偏壓、反極性、清潔、污染、幾何形狀、純金屬和夾具控制，然後確認生產批次和加速機制的等效性。

驗證界線

凍結導體金屬化絕緣和界面、幾何間距和暴露區域、材料和漿料批次、配方和有機物、加工和殘留物、清潔、塗層、夾具防護和探頭、電流電壓極性波形和合規性、熱路徑、溫度濕度冷凝和污染物、室和水質、成像和化學、中斷計劃、電氣方法、控制、恢復、恢復、生產和污染物、室和水質、成像和化學、中斷計劃、電氣方法、控制、恢復、恢復方法、生產性和重複操作、標準審查和化學、中斷計劃、電氣方法、控制、恢復、恢復、生產和標準重複、標準審查和化學、中斷計劃、電氣方法、控制、恢復、恢復和標準

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Downloads & Engineering Support

這兩種資源仍然需要批准，並且無法確定遷移、洩漏、短路、接頭或可靠性性能。

• 請求遷移機制審查
• 討論電氣、化學和故障特徵
• 討論清潔度、幾何形狀和製程控制

What to Validate

遷移框架是工程指導。確認遷移電阻、洩漏、短路、電流、濕度偏差、生產或壽命性能，直到獲得經過驗證的等級、導體、幾何形狀、環境、污染、電氣、化學、控制、方法和特定應用的證據。