Diagnostic des vides, du frittage incomplet et de la résistance de contact initiale élevée

Problème

Des fractions de vides égales peuvent avoir des effets électriques ou mécaniques différents en raison de l'emplacement, de la connectivité, de la taille, de la forme et de la distance par rapport au chemin de transfert de courant. Une section transversale peut manquer ou créer un défaut, tandis qu'une valeur de résistance ne peut pas localiser le segment défaillant.

Mécanisme

Les vides peuvent provenir de l'air entraîné, d'un solvant ou d'un gaz de décomposition, d'un mauvais mouillage, d'un manque de contact avec la surface, de gradients de compactage, d'une disparité de retrait, d'ombres de pression ou de fissures. Une formation de contact incomplète peut résulter d'un garnissage, d'un oxyde de surface, de résidus, d'une atmosphère, de la température réelle, du temps, de la pression, de la métallisation ou de l'état de l'interface.

Une résistance élevée peut résider dans le réseau de masse, un étranglement, une métallisation, une ou les deux interfaces, un contact de sonde, un luminaire ou un fil. Enregistrez les états structurels et électriques tout au long du procédé afin que le défaut final ne soit pas confondu avec sa cause.

Compromis

Une température, un temps ou une pression plus élevés peuvent réduire les pores sélectionnés tout en augmentant l'expulsion, la contrainte, la réaction d'interface, l'oxydation, les dommages ou la charge de débit. Une inspection à plus haute résolution améliore la localisation mais peut réduire la zone échantillonnée et augmenter le biais de segmentation ou de préparation. Utilisez une sélection large et une confirmation ciblée.

Stratégie de choix matériau

Diagnostiquez la poudre Nano Ag, la poudre Nano Cu, la poudre Nano Ni et la poudre Nano Sn à travers leurs historiques réels de procédé et d'interface avant de comparer les remplacements. Pour le cuivre graphène (Graphène-Cu) ou SWCNT-nano-Ag, localisez les deux phases et utilisez une pâte métallique uniquement assortie.

Architectures recommandées

Mesure et validation

1. Définissez le symptôme, la population affectée, les contrôles, le seuil d’acceptation, le moment de la défaillance, le lot, l’équipement, l’emplacement, la géométrie et l’historique exact du procédé et des essais.
2. Topologie des défauts d'écran avec une méthode non destructive qualifiée en résolution le cas échéant ; signalez les limites de segmentation, de détectabilité, de matériaux cachés et d'orientation, puis confirmez les emplacements ciblés par des méthodes de coupe transversale ou de volume.
3. Interrompre les échantillons appariés après le dépôt, le séchage, le déliantage, la formation de contact partiel, le traitement final et le refroidissement pour enregistrer la masse, la géométrie, les résidus, les contacts, les pores, les vides, les fissures, les métallisations et les interfaces.
4. Séparez le volume des conducteurs, la constriction, la métallisation et les deux contributions d'interface à l'aide de commandes à quatre bornes et de sondes ou de luminaires ; ajoutez une cartographie thermique ou actuelle enregistrée uniquement une fois calibrée et qualifiée en résolution.
5. Modifiez une variable causale à la fois, reproduisez le défaut et la correction sur tous les lots de production, et confirmez le vieillissement de la surface de défaillance mécanique et de l'application avant la sortie.

Périmètre de qualification

Définition des symptômes de gel et de l'acceptation, populations affectées et témoins, métallisations des substrats des composants et géométrie des joints, lots de matériaux et de pâtes, surface des particules et matières organiques, mélange et stockage, dépôt, séchage, déliantage et évacuation des gaz, montage et refroidissement de la pression atmosphérique, segmentation et préparation de la résolution d'imagerie, plan d'interruption, sondes et montages électriques, analyse des défaillances, essais à une variable, équipement et lots, vieillissement, répétitions, incertitude, confinement et critères de libération.

Produits associés

• Poudre nanométrique d’argent
• Poudre nanométrique de cuivre
• Poudre nanométrique de nickel
• Poudre nanométrique d’étain
• Graphène-Cu
• SWCNT-nano-Ag

Applications associées

• Packaging électronique et interconnexions
• Encres pour électronique imprimée et pâtes conductrices

Comparaisons associées

• Nano Ag comparé à Nano Cu, Nano Ni et Nano Sn
• CNT-Metal Hybrids vs nanopoudres métalliques seules

Downloads & Engineering Support

Les deux ressources restent soumises à une approbation et ne peuvent pas établir les performances en matière de défaut, de cause première, d'action corrective, conjointe ou de fiabilité.

• Demander un examen des causes profondes des articulations conductrices
• Discuter des défauts, de l'interface et de la caractérisation électrique
• Discutez du confinement des procédé et des essais correctifs

What to Validate

Le cadre de diagnostic est un guide d’ingénierie. Confirmez un défaut ou une action corrective jusqu'à ce que des preuves vérifiées spécifiques à le grade, à la formulation, au procédé, à l'imagerie, à l'électricité, à l'interface, au contrôle et à l'application soient disponibles.